磁控濺射靶材的運作過程很多人不不太清楚，對磁控濺射靶材的工作內容也不了解，下面就為大家簡單的介紹一下。磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉移到基體表面而成膜。

磁控(kong)濺射的特點是成膜速(su)率高，基片溫(wen)度低(di)，膜的粘附性好，可實現大(da)面積鍍膜。該技(ji)術(shu)可以(yi)分為(wei)直流(liu)磁控(kong)濺射法和(he)射頻磁控(kong)濺射法。

磁(ci)(ci)控濺射(she)是(shi)70年(nian)代(dai)迅速發(fa)展起來的(de)一種(zhong)“高(gao)(gao)速低(di)(di)溫濺射(she)技術”。磁(ci)(ci)控濺射(she)是(shi)在陰(yin)極(ji)(ji)靶的(de)表面上方形(xing)成(cheng)一個正(zheng)交電(dian)(dian)磁(ci)(ci)場。當濺射(she)產(chan)生(sheng)的(de)二次(ci)電(dian)(dian)子(zi)(zi)在陰(yin)極(ji)(ji)位降區內被加(jia)速為高(gao)(gao)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)子(zi)(zi)后，并(bing)不直(zhi)(zhi)接飛(fei)向(xiang)(xiang)陽(yang)極(ji)(ji)，而是(shi)在正(zheng)交電(dian)(dian)磁(ci)(ci)場作用下作來回振蕩的(de)近(jin)似(si)擺線的(de)運動。高(gao)(gao)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)子(zi)(zi)不斷與(yu)氣體分子(zi)(zi)發(fa)生(sheng)碰(peng)撞并(bing)向(xiang)(xiang)后者轉移能(neng)(neng)(neng)量，使之電(dian)(dian)離(li)而本身(shen)變成(cheng)低(di)(di)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)子(zi)(zi)。這些低(di)(di)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)子(zi)(zi)最終沿磁(ci)(ci)力(li)線漂移到陰(yin)極(ji)(ji)附近(jin)的(de)輔助(zhu)陽(yang)極(ji)(ji)而被吸收(shou)，避免高(gao)(gao)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)子(zi)(zi)對極(ji)(ji)板(ban)的(de)強烈轟擊(ji)，消除了二極(ji)(ji)濺射(she)中極(ji)(ji)板(ban)被轟擊(ji)加(jia)熱(re)和被電(dian)(dian)子(zi)(zi)輻照引起損(sun)傷的(de)根源，體現磁(ci)(ci)控濺射(she)中極(ji)(ji)板(ban)“低(di)(di)溫”的(de)特點。由于外加(jia)磁(ci)(ci)場的(de)存在，電(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)復雜運動增加(jia)了電(dian)(dian)離(li)率，實現了高(gao)(gao)速濺射(she)。磁(ci)(ci)控濺射(she)的(de)技術特點是(shi)要在陰(yin)極(ji)(ji)靶面附件(jian)產(chan)生(sheng)與(yu)電(dian)(dian)場方向(xiang)(xiang)垂直(zhi)(zhi)的(de)磁(ci)(ci)場，一般采用永久磁(ci)(ci)鐵實現。