高純鋁濺射靶材行業的發展情況。隨著電子新材料行業的快速發展,以高純鋁為基礎的電子新材料產品(包括靶材)需求將保持高速增長。十一五期間，我國“國家高技術研究發展計劃(863計劃)新材料技術領域“大尺寸超高純鋁靶材的制造技術”重點項目申請指南”要求達到的目標是：通過超高純鋁及鋁合金靶材制備加工過程中的關鍵技術攻關，全面掌握應用于大規模集成電路制造和TFT-LCD制造的大尺寸超高純鋁及鋁合金靶材的制備加工技術;制備出滿足大規模集成電路制造用和TFT-LCD使用要求的超高純鋁及鋁合金靶材產品;為在我國形成一個從超高純鋁精煉提純到靶材加工的完整產業鏈提供關鍵技術支撐。國內鋁電解電容器需求將以年均13-15%的速度增長。隨著我國存儲盤及半導體制品國產化，高純鋁靶材的需求量將會進一步增加，市場前景廣闊。

　　據統計，國內每年高純鋁的缺口在十幾萬噸左右。到2008年末可生產高純鋁的企業可有8個，總生產能力約5.7萬噸，到2012年可生產高純鋁的企業可增至11個，總生產能力有可能達到12.5萬噸。相信隨著國內生產工藝的發展，產品質量的提高，高純鋁將是鋁工業發展的新方向。從高純鋁靶材的上游供應情況來看，我國高純鋁產量并不高，也不能滿足國家高純鋁靶材生產所需。其余所需只能來源于進口。目前我國高純鋁年產量約為5萬噸，產品供不應求。